نانو3 مل

                 

‏عنوان

:

‏‫بررسی اثر آنیون‌های ‏Nonafluoro-1-butanesulfonate و ‏Dodecyl sulfate در سنتز مواد نانو متخلخل سیلیسی با استفاده از سورفکتانتهای آلی کاتیونی در محیط‌های قلیایی

                                               

‏توصیفگر

:

موادنانوساختار
Nanostructuredmaterials
سنتز
آنیونها
کاتیون‌ها
قلیایی‌ها
مواد متخلخل
مواد فعال در سطح

‏چکیده

:

در این تحقیق، مواد نانو متخلخل سیلیسی از خانواده M41S با استفاده از قالب‌های ابر مولکولی سورفکتانت‌های کاتیونی همراه با یون‌های متقابل آلی- معدنی که از نظر ساختاری مشابه با سورفکتانت‌های مورد استفاده هستند. در شرایط قلیایی و هیدروترمال تهیه شدند. در تهیه فازهای نانو متخلخل سیلیسی، عوامل تاثیرگذار در تشکیل فاز نهایی مانند دما، pH، زمان، نسبت سورفکتانت: سیلیس و غلظت سورفکتانت ثابت نگه داشته شده‌اند و فقط غلظت یون متقابل آلی- معدنی تغییر یافت. تغییر غلظت این یون‌های متقابل، انتقالات فازی را از حالت‌های هگزاگونال به مکعبی و لایه‌ای در طیف‌های XRD نشان می‌دهد. بنابراین می‌توان این مواد را به عنوان کمک سورفکتانت نامید. این یون‌های مهمان با کاتیون‌های سورفکتانت و آنیون‌های سیلیکاتی در خلال سنتز رقابت می‌کنند و بر محدوده نظم و پایداری فازهای مزوپوری تاثیر می‌گذارند و نقش حدواسط را در ایجاد توازن الکتریکی و عدم توازان دانسیته جزئی بار الکتریکی بازی می‌کنند که در نهایت کنترل انحناهای سطح و خواص مزوفازها را به عهده دارند. مطالعات انجام‌گرفته بر روی سیلانولات سطح و درصد سیلیس فازهای نهایی تاییدکننده این نظر است. نظم ساختارهای کریستالی و ریخت‌شناسی فازها در این تحقیق با استفاده از تکنیک SEM بررسی شده‌است.

                 

‏عنوان

:

‏‫تهیه و بررسی ساختاری و توان ترموالکتریک لایه‌های نازک تهیه شده از نانو‌ذرات Bi2 Te3‏ بوسیله روش تبخیر حرارتی  نظری ؛

                                         

‏توصیفگر

:

نانوذرات
تبخیر
توان گرماالکتریکی
بیسموت
لایه‌های نازک
تلوریم نیم‌رسانا

‏چکیده

:

در این پروژه خواص ترموالکتریکی لایه‌های نازک نیمه رسانای بیسموت تلوراید مورد بررسی قرار گرفته است. ابتدا با استفاده از روش Sonochemical نانو پودر این ماده تهیه می‌شود و سپس بوسیله دستگاه اسپاترینگ AS، لایه نازکی از Bi2 Te3 را روی زیر لایه شیشه‌ای با استفاده از روش Vaporation در دمای اتاق، نشانده می‌شود. برای بررسی اثر دمای مختلف، نمونه در دماهای مختلف پخت داده می‌شود با استفاده از روش موسوم به Differential خواص ترموالکتریکی لایه‌های نازک Bi2 Te3 در گستره دمایی ۳۲۰ تا ۳۸۰ درجه کلوین مورد بررسی قرار گرفته است. برای مشخصه نگاری نمونه‌ها از طیف جذبی در ناحیه فرابنفش و مرئی و طیف پراش اشعه X و تصاویر میکروسکوپی استفاده شده او اندازه نانو ذرات تعیین گردیده است. افزایش قابل ملاحظه‌ای در مقدار ضریب سیبک در نمونه لایه نازک نسبت به حالت توده‌ای مشاهده شده است. فرایند پخت نمونه در درجه حرارتهای مختلف همچنین بر مقدار ضریب سیبک می‌افزاید. تغییرات ضریب سیبک با دما و ضخامت بر اساس تغییرات دمایی رسانش ذاتی و غیر ذاتی قابل توجه است.

/ 1 نظر / 26 بازدید